肖特基标着10A，实际只跑3A，为什么还是烫得厉害？

电源板上经常有这种疑问。

肖特基Datasheet写着10A，实际平均电流才3A，结果热像仪一看七八十度，摸一下也烫。

第一反应通常是：是不是这颗料不行？

不一定。额定电流10A和你这块板上3A时会不会很热，本来就不是同一个问题。

肖特基导通时最直接的损耗就是P≈VF×I。

假设3A时VF是0.45V，单纯导通损耗已经有1.35W；如果实际是0.55V，就是1.65W。

对一颗SMB、SMC或者PowerFLAT封装器件来说，1W多绝对不是“没感觉”的功耗。

ST在Schottky应用笔记里也把Forward Voltage列为电源整流损耗的核心参数。输出电压越低，VF带来的效率损失越显眼。

图1：肖特基的VF会随电流和温度变化，不能拿一个固定0.3V去估算所有工作点。

额定平均电流往往是在规定的Case Temperature、Lead Temperature、散热面积或者理想散热条件下定义的。

换到真实PCB上，铜面积小、底层没铺开、热过孔少、旁边还有MOS和电感一起发热，热阻完全可能比Datasheet条件差很多。

这也是为什么看二极管不能只看IF(AV)，还要看RθJA、RθJL、RθJC，以及厂家给的Derating Curve。

Nexperia的热设计资料会直接把PCB铜面积作为热能力的一部分来讨论。同一个器件，铜皮怎么铺，结温可以差很多。

图2：Schottky Reverse Leakage会随结温快速上升，高温时反向损耗不能总忽略。

图3：PCB铜面积和散热路径会直接改变半导体封装能够承受的稳态功耗。

肖特基的低VF是优势，但通常也伴随更高的Reverse Leakage。

而且漏电对温度非常敏感。器件一热，IR上升；IR上升，反向损耗VR×IR又增加；损耗再把器件推得更热。

ST针对功率Schottky专门讨论过Reverse Loss和Thermal Instability问题，高温下这部分不能总当成零。

尤其在反激、Boost、较高反向电压或者环境温度本来就高的场合，只按正向3A算损耗可能会低估结温。

先从Datasheet的IF-VF曲线读出当前结温和电流附近的VF，估算正向损耗。

再看实际反向电压和占空比，确认高温时Reverse Leakage有没有可能贡献明显损耗。

然后回到PCB：器件两端到底有多少铜、铜厚多少、有没有热过孔、热量能不能扩散出去。

最后用热像仪看板上温度分布，但不要把外壳温度直接当Tj。真正的结温还要结合热阻和功耗估算。

如果算下来本来就有1～2W，而封装散热又差，3A时发烫并不奇怪。这个时候换更低VF、更低漏电、更好封装，或者干脆改同步整流，往往比盯着“它明明标10A”更有用。

图4：真实Schottky Datasheet通常同时给出VF、IR、结电容和瞬态热阻等多组曲线，额定电流只是其中一个指标。

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